- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/775 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique
Détention brevets de la classe H01L 29/775
Brevets de cette classe: 1931
Historique des publications depuis 10 ans
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133
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134
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122
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201
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173
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165
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110
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112
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315
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277
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
434 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
278 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
265 |
| Intel Corporation | 45621 |
158 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
50 |
| IBM United Kingdom Limited | 4467 |
41 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
34 |
| IMEC VZW | 1410 |
30 |
| Tahoe Research, Ltd. | 2146 |
27 |
| Socionext Inc. | 1575 |
25 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
25 |
| Tessera LLC | 246 |
25 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
23 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
21 |
| Sony Corporation | 32931 |
20 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
18 |
| IBM Deutschland GmbH | 670 |
18 |
| Google LLC | 38759 |
17 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
13 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
12 |
| Autres propriétaires | 397 |